特許

J-GLOBAL ID：200903051417704298

CVD装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 猪巻 義洋 ,  川口 伸次 ,  守屋 聡 ,  堀内 光明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-096292
公開番号（公開出願番号）：特開平10-289901
出願日： 1997年04月15日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】 サセプタに付着した薄膜の剥がれ防止を高めることができるCVD装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 サセプタ3に固定されているウエハ2に薄膜を形成するCVD装置であって、サセプタ3の表面は中央部のウエハ2をセットする鏡面部3aと鏡面部3aの外周に配置されている石英層などからなるコーティング層3cとからなっているものである。また、前記CVD装置を用いた半導体装置の製造方法は、前記CVD装置を使用してウエハ2の上にBPSG膜などの薄膜を形成する工程を有するものである。

請求項（抜粋）：

サセプタに固定されているウエハに薄膜を形成するCVD装置であって、前記サセプタの表面は中央部の前記ウエハをセットする鏡面部と前記鏡面部の外周に配置されているコーティング層とからなっていることを特徴とするCVD装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 H ,  H01L 21/205