特許

J-GLOBAL ID：200903051422003842

無転位シリコン単結晶の製造方法

発明者： 岩崎 俊夫 ,  藤元 慎一 ,  磯村 宙 ,  石田 圭禎 ,  田村 道春 ,  碇 敦
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-143072
公開番号（公開出願番号）：特開平11-060379
出願日： 1998年05月25日
公開日（公表日）： 1999年03月02日
要約：

【要約】【課題】 チョクラルスキー法で無転位シリコン単結晶を製造する際に、大重量によるネック部の破壊が原因の結晶落下事故の発生を防止しつつ、大口径かつ大重量の無転位シリコン単結晶を安全にかつ再現良く製造できる無転位シリコン単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 シード結晶をシリコン融液に浸し、その後ネッキングを行わずに引き上げて無転位シリコン単結晶の本体部を育成する。使用するシード結晶は無転位シリコン単結晶である。その際、シード結晶のシリコン融液への浸漬が完了した時点におけるシード結晶のシリコン融液に浸されている部分の水平方向最大長さは5mm以上である。また、シード結晶のシリコン融液への浸漬速度は2.8mm/分以下であり、シード結晶のシリコン融液に浸す部分は育成されたままの結晶である。

請求項（抜粋）：

無転位シリコン単結晶からなるシード結晶をシリコン融液に浸し、その後ネッキングを行わずに引き上げて無転位シリコン単結晶の本体部を育成する、チョクラルスキー法による無転位シリコン単結晶の製造方法であって、下記の条件、すなわち、(a)前記シード結晶の前記シリコン融液への浸漬が完了した時点における前記シード結晶の前記シリコン融液に浸されている部分の水平方向最大長さが5mm以上であること、(b)前記シード結晶の前記シリコン融液に浸す部分が機械加工により成形されていること、および、(c)下記(c1)〜(c6)からなる群から選択される少なくともいずれか一の条件を満たすこと、(c1)前記シード結晶の前記シリコン融液に浸す部分の先端が下に凸であること、(c2)前記シード結晶の前記シリコン融液に浸す部分の表面粗さRmax 値が基準長さを0.1mmとしたときに5μm以下であること、(c3)前記シード結晶の前記シリコン融液に浸す部分がエッチング処理されていること、(c4)前記シード結晶に含まれているドーパントの濃度が1×1017cm-3以上であること、(c5)前記シード結晶を前記シリコン融液に浸す際の浸漬速度が2.8mm/分以下であること、(c6)前記シード結晶の内部に生じる温度勾配がシリコン単結晶育成中において10°C/mm以下であること、を満たすことを特徴とする無転位シリコン単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/36 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 29/06 502 F ,  C30B 15/36 ,  H01L 21/208 P