特許

J-GLOBAL ID：200903051434184842

半導体結晶膜の形成方法及び半導体装置

発明者： 茂庭 昌弘 ,  楠川 喜久雄 ,  大倉 理
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-169129
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013311
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】シード領域を用意することなく、非晶質絶縁膜上の所望の領域に半導体結晶薄膜を形成すること、電気的に活性な結晶欠陥の少ない半導体結晶薄膜を形成すること。【構成】Siウエハ1上のSiO2膜2の上に非晶質Si膜3を設け、非晶質Si膜3の所望の部分に、レジスト膜5をマスクにして、電気的に活性となる不純物としてPイオン6を選択的に導入し、P打ち込み領域7を形成する。熱処理し、少なくともこの所望の部分を結晶化させる。O等の電気的に不活性となる不純物を選択的に導入すれば、打ち込み領域以外の部分が結晶化する。

請求項（抜粋）：

基板上に非晶質半導体膜を形成する第1の工程、該非晶質半導体膜の所望の部分に不純物又は該非晶質半導体膜の構成元素の少なくとも一つを選択的に導入する第2の工程及び該非晶質半導体膜を熱処理し、少なくとも該所望の部分を結晶化させる第3の工程を有することを特徴とする半導体結晶膜の形成方法。