特許

J-GLOBAL ID：200903051434351455

半導体不揮発性記憶装置

発明者： 荒瀬 謙士朗 ,  中川原 明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-124892
公開番号（公開出願番号）：特開平7-334991
出願日： 1994年06月07日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】ドレインディスターブを低減でき、また、マスク製作に要する時間の長時間化を抑制できる半導体不揮発性記憶装置を実現する。【構成】書き込み/読み出し回路6にて「1」データを書き込むべきワード線数が全ワード線数Nの半分以下の場合は、書き込みデータの位相を正転状態のままでデータの書き込みを行い、補助ワードメモリ部12に正転状態で書き込んだ旨を記録し、「1」データを書き込むべきワード線数がN/2以上の場合は、書き込みデータの位相を反転させてデータの書き込みを行い、補助ワードメモリ部12に位相反転状態で書き込んだ旨を記録し、データ読み出し時には、補助ワードメモリ部12に記録されている書き込み時の位相情報を読み出した後に、正規メモリ部11のメモリセルに対する読み出しを行い、読み出した位相情報に基づいて読み出しデータが「1」データであるか「0」データであるかを判定する。

請求項（抜粋）：

複数のワード線とビット線とを備え、半導体不揮発性記憶素子が行列状に配列された不揮発性記憶アレイと、上記不揮発性記憶アレイのビット線毎に記憶情報の極性を記憶する補助記憶手段とを有する半導体不揮発性記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  G11C 17/18 ,  G11C 16/06

FI (4件)：

G11C 17/00 307 D ,  G11C 17/00 306 A ,  G11C 17/00 510 A ,  G11C 17/00 520 Z