特許

J-GLOBAL ID：200903051435601293

電界効果型トランジスタ

発明者： 水田 正志 ,  葛原 正明 ,  梨本 泰信 ,  麻埜 和則 ,  三好 陽介 ,  望月 康則
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-020088
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230263
出願日： 1998年09月22日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】高い耐圧特性と、良好な利得特性、さらには良好な高周波特性を兼ね備えた電界効果型トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】フィールドプレート部9とチャネル層2との間に、比誘電率8以上の高誘電体材料からなる誘電体膜4を設ける。高誘電体材料としては、たとえば酸化タンタル(Ta2O5)を用いる。

請求項（抜粋）：

表面にチャネル層が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に離間して形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置され、前記チャネル層とショットキ接合したゲート電極とを有し、前記ゲート電極は、ドレイン電極側に庇状のフィールドプレート部を備え、前記フィールドプレート部と前記チャネル層との間に、比誘電率8以上の高誘電体材料からなる誘電体膜が設けられたことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812