特許
J-GLOBAL ID：200903051438364942
単結晶引上装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-054235
公開番号（公開出願番号）：特開平7-267777
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月17日
要約：
【要約】【目的】 6インチ以上の大容量のシリコン半導体単結晶を最低1mm/minの引上速度で引上可能な単結晶の引上装置を提供する点。【構成】 先端の寸法を変えた複数の輻射熱反射筒2、3を重ねる手法を採用し、更にその一方を固定状態他方を可動状態とすると共に、この一方即ち下側に配置する第1輻射熱反射筒2の径を他方即ち上側に設置する第2輻射熱反射筒3の径より多少大きくすることにより、第1輻射熱反射筒2の途中に第2輻射熱反射筒3が係止できるようにする。しかも引上軸または引上用ワイヤ63の上下移動及び第2輻射熱反射筒3が上下できる構造にする。
請求項（抜粋）：
単結晶の引上軸に沿って配置する筒状保温筒と,この筒状保温筒内に位置し前記引上軸と同軸上に配置する原料融液収納ルツボと,このルツボに固定すると共に前記単結晶の引上軸に沿って配置する回転軸と,前記ルツボの外方の筒状保温筒内に配置する加熱源と,前記原料融液収納ルツボより上部に位置する前記筒状保温筒に取付けられ、前記単結晶引上軸方向に伸縮可能な複数の輻射熱反射筒とを具備することを特徴とする単結晶引上装置
IPC (3件)：
C30B 15/14
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
