特許
J-GLOBAL ID：200903051438402470
シリコン酸化膜の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-238536
公開番号（公開出願番号）：特開平7-090589
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月04日
要約：
【要約】【目的】 液晶表示板用薄膜トランジスタのゲート絶縁膜など、大面積の基板上に高品質のSiO2薄膜を均一に形成するシリコン酸化膜の形成方法を得る。【構成】 プラズマCVD法により基板上にシリコン酸化膜を形成するに際して、有機シランガス、酸化性ガスとともにフッ素含有ガスを導入する。
請求項（抜粋）：
プラズマCVD法により基板上にシリコン酸化膜を形成するに際して、有機シランガス、酸化性ガスとともにフッ素含有ガスを導入することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
IPC (4件)：
C23C 16/40
, C23C 16/50
, H01L 21/316
, H01L 29/786
