特許
J-GLOBAL ID：200903051439187165

クラスレート化合物半導体およびその製造方法

発明者：
江口 晴樹

江口 晴樹 について

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鈴木 章彦

鈴木 章彦 について

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高橋 聰

高橋 聰 について

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宮原 薫

宮原 薫 について

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田中 徹

田中 徹 について

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円谷 和雄

円谷 和雄 について


出願人/特許権者：
石川島播磨重工業株式会社

石川島播磨重工業株式会社 について

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円谷 和雄

円谷 和雄 について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-153760
公開番号（公開出願番号）：特開2001-335309
出願日： 2000年05月24日
公開日（公表日）： 2001年12月04日
要約：
【要約】【課題】 高温・高圧下でも安定して作動し、広禁制帯幅を有するクラスレート化合物半導体及びそれを容易に製造することができる方法を提供する。【解決手段】 周期律表第4B族原子をクラスレート格子とし、該クラスレート格子内にクラスレート格子原子よりも電気陰性度の小さな特定の原子を内包し、クラスレート格子原子の一部をクラスレート格子原子よりも価電子数の多いか又は少ない特定の原子で置換して、p型又はn型の半導体とする。ドーピング元素及び置換元素を含む周期律表第4B族の化合物を不活性雰囲気中で溶融または微粉砕して、500°C以上の温度で10時間以上保持した後冷却し、次いで、洗浄処理を施して余剰の原料を除去した後、ホットプレス成形する。また、4B族の化合物として、インターカラント黒鉛層間化合物を使用することもできる。
請求項（抜粋）：
周期律表4B族元素の少なくとも1種の原子を主体としてなるクラスレート格子と、該クラスレート格子の格子間隙に内包されドーピング原子と、前記クラスレート格子を構成する原子の少なくとも一部と置換された置換原子とからなり、該ドーピング原子が前記クラスレート格子を構成する原子よりも電気陰性度が小さな周期律表1A族、2A族、3A族、1B族、2B族、3B族、4A族、5A族、6A族もしくは8族の原子のうちの少なくとも1種であり、該置換原子が周期律表1A族、2A族、3A族、1B族、2B族もしくは3B族の原子のうちから選ばれたうちの少なくとも1種の原子、または5A族、6A族、7A族、5B族、6B族、7B族もしくは8族から選ばれたうちの少なくとも1種の原子であるることを特徴とするクラスレート化合物半導体。
IPC (7件)：
C01B 31/02 101 ,  C01B 33/021 ,  H01L 21/208 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/22 ,  H01L 35/34 ,  H01S 5/32
FI (7件)：
C01B 31/02 101 F ,  C01B 33/021 ,  H01L 21/208 Z ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/22 ,  H01L 35/34 ,  H01S 5/32
Fターム (30件)：
4G046CB00 ,  4G046CB09 ,  4G046CC03 ,  4G046MA11 ,  4G046MB01 ,  4G046MB10 ,  4G046MC04 ,  4G072AA20 ,  4G072BB20 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH33 ,  4G072MM23 ,  4G072MM26 ,  4G072MM37 ,  4G072MM38 ,  4G072QQ02 ,  4G072RR13 ,  4G072UU01 ,  5F053BB04 ,  5F053BB60 ,  5F053DD20 ,  5F053FF04 ,  5F053GG02 ,  5F053LL02 ,  5F053RR20 ,  5F073CA24 ,  5F073CB12 ,  5F073DA07 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (4件)
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