特許
J-GLOBAL ID：200903051440572048
レジストパターンの形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-205710
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053125
出願日： 1992年07月31日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】本発明は、ノボラック系レジストをはじめとする通常の高分子レジストを使用し、かつ、転写パタン形状が改善された解像度の高いレジストパターンの形成方法を提供することを目的とする。【構成】本発明は、X線25を用いたレジストパターンの形成方法において、パターン露光中、レジスト層21の膜厚方向もしくは前記膜厚方向に垂直な任意の-方向のいずれか一方向に対して、電界25を印加するものである。
請求項（抜粋）：
X線,もしくはSOR光を用いたレジストパターンの形成方法において、パターン露光中、レジスト層の膜厚方向もしくは前記膜厚方向に垂直な任意の-方向のいずれか一方向に対して、電界を印加することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 503
, G03F 7/20 521
