特許
J-GLOBAL ID:200903051452836202
半導体製造・検査装置用セラミックヒータ
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安富 康男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-248318
公開番号(公開出願番号):特開2003-059628
出願日: 2001年08月17日
公開日(公表日): 2003年02月28日
要約:
【要約】【課題】 半導体製品の製造・検査工程において、半導体製造・検査装置用セラミックヒータの電極部分およびセラミック基板全体の耐腐食性を向上させることを目的とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータを提供すること。【解決手段】 窒化物セラミックを含むセラミック基板と、その内部に設けられた抵抗発熱体とを含んで構成される半導体製造・検査装置用セラミックヒータであって、前記セラミック基板の表面には、窒化物セラミックを含む蒸着膜が形成されていることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。
請求項(抜粋):
窒化物セラミックを含むセラミック基板と、その内部に設けられた抵抗発熱体とを含んで構成される半導体製造・検査装置用セラミックヒータであって、前記セラミック基板の表面には、窒化物セラミックを含む蒸着膜が形成されていることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。
IPC (8件):
H05B 3/20 393
, H01L 21/02
, H01L 21/3065
, H01L 21/68
, H05B 3/02
, H05B 3/10
, H05B 3/18
, H05B 3/68
FI (8件):
H05B 3/20 393
, H01L 21/02 Z
, H01L 21/68 N
, H05B 3/02 A
, H05B 3/10 C
, H05B 3/18
, H05B 3/68
, H01L 21/302 B
Fターム (58件):
3K034AA02
, 3K034AA05
, 3K034AA16
, 3K034AA21
, 3K034AA34
, 3K034AA35
, 3K034BA06
, 3K034BA14
, 3K034BB06
, 3K034BB14
, 3K034BC04
, 3K034BC17
, 3K034CA02
, 3K034CA28
, 3K034DA04
, 3K034DA05
, 3K034FA14
, 3K034FA39
, 3K034HA10
, 3K034JA02
, 3K034JA10
, 3K092PP20
, 3K092QA05
, 3K092QB02
, 3K092QB08
, 3K092QB26
, 3K092QB43
, 3K092QB62
, 3K092QB75
, 3K092QB76
, 3K092QC02
, 3K092QC18
, 3K092QC34
, 3K092QC59
, 3K092QC61
, 3K092QC64
, 3K092RF03
, 3K092RF11
, 3K092RF19
, 3K092RF27
, 3K092SS18
, 3K092UA05
, 3K092UA06
, 3K092UA09
, 3K092VV40
, 5F004AA14
, 5F004AA16
, 5F004BB22
, 5F004BB26
, 5F004BB29
, 5F004DA01
, 5F004DA17
, 5F031CA02
, 5F031HA02
, 5F031HA10
, 5F031HA16
, 5F031HA18
, 5F031HA37
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