特許
J-GLOBAL ID：200903051455744821
半導体装置の製造方法および半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-323494
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162851
出願日： 1997年11月25日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 成膜される材料以外の物質がスパッタされることによる不良薄膜の作り込み事故を未然に防止し、高品質の薄膜の生産を実現する。【解決手段】 ターゲット表面状態判定回路17によりスパッタ成膜中に放電特性(スパッタ電流-電圧特性)を監視し、前もって取得しておいたターゲット表面状態と放電特性との関係とを比較することでリアルタイムにターゲット表面状態およびその変化を判定し、各表面状態に対応したターゲット消費量を高精度にターゲット消費量推算回路19が推算し、ターゲット総消費量を演算する。その結果と所定使用限界値とをターゲット消費限界判定回路20が比較することで、使用限界を越えないようにする。
請求項（抜粋）：
スパッタ中のスパッタ電圧、スパッタ電流、成膜室内のガス圧ならびに成膜室内に導入されるスパッタガスの流量比からなるスパッタ条件をモニタする工程と、モニタされたスパッタ条件に基づいて、スパッタ中の成膜される材料物質からなるターゲットの表面状態およびその変化の推移を判定する工程と、判定された結果とモニタされたスパッタ電圧とスパッタ電流とに対応して適切な消費係数を前記ターゲットの表面状態毎に予め測定によって得られているターゲット消費係数である単位電力量あたりの消費量のリストに基づいて選別する工程と、選別されたターゲット消費係数にしたがって前記ターゲットの消費量を時間的に積算し、前記ターゲットの総消費量を推算する工程と、推算された結果と予め格納された所定の消費限界値とを比較する工程と、比較結果が消費限界を超えている場合にスパッタを中止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/203
, C23C 14/34
, C23C 14/54
, H01L 21/285
H01L 21/203 S
, C23C 14/34 U
, C23C 14/54 A
, H01L 21/285 S
