半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-223867
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058642
出願日： 1998年08月07日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】酸素雰囲気によるレジストマスクの剥離の際、接続孔内における層間絶縁膜としてのメチル基を有する有機SOG膜部分の変質を防止しする。【解決手段】拡散層或は配線層等の導電層13を有する半導体基板11上のメチル基を有する有機SOG(層間絶縁膜)14表面を酸化して改質層15を形成し、レジストマスクをマスクにしてこの改質層15及び層間絶縁膜14をエッチングし、導電層13に達する接続孔17を形成した後、この接続孔17内に、層間絶縁膜14とエッチングの選択比が異なる材質からなる充填物質18を埋め込み、この充填物質18表面を酸化して改質層19を形成する。次に、レジストマスク16を酸素雰囲気中で剥離した後、充填物質18を選択的に除去し接続孔17内に金属配線層20を形成する。上記のようにレジストマスクの剥離時に、接続孔17内の層間絶縁膜14側壁が充填物質18で覆われているため、層間絶縁膜の変質が防止できる。

請求項（抜粋）：

導電層を有する半導体基板上にメチル基を含む有機SOGからなる層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜表面を改質し改質層を形成する工程と、前記改質層上にレジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクをマスクにして前記改質層及び前記層間絶縁膜をエッチングし、前記導電層に達する接続孔を形成する工程と、前記接続孔内部に、前記層間絶縁膜とエッチングの選択比が異なる材質からなる充填物質を埋め込む工程と、前記充填物質の表面を改質し改質層を形成する工程と、前記レジストマスクを酸素プラズマを利用して剥離する工程と、前記充填物質を前記接続孔内より除去する工程と、前記接続孔内に導電物質を充填する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 21/90 C , H01L 21/28 L

Fターム (19件)：

4M104AA01 , 4M104BB02 , 4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD20 , 4M104EE18 , 5F033AA12 , 5F033AA15 , 5F033AA29 , 5F033AA64 , 5F033DA04 , 5F033DA13 , 5F033DA34 , 5F033EA02 , 5F033EA06 , 5F033EA11 , 5F033EA29 , 5F033FA03

前のページに戻る