半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-010324
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208627
出願日： 1999年01月19日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】配線をメッキ処理により形成する技術においてメッキ膜を良好に成長させる。【解決手段】層間絶縁膜5bに配線溝9a1 を形成した後、層間絶縁膜5b上面および配線溝9a1 内にバリア導体膜10a、シード導体膜11aを下層から順に堆積し、さらに、そのシード導体膜11a上に導体膜をメッキ法により堆積するのに先立って、シード導体膜11aの表面に形成された酸化膜12を還元処理によって除去するようにした。

請求項（抜粋）：

還元処理後に、半導体装置の配線を形成する導体膜をメッキ法により形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , C25D 7/12 , H01L 21/288

FI (3件)：

H01L 21/90 A , C25D 7/12 , H01L 21/288 M

Fターム (58件)：

4K024BB12 , 4K024CB01 , 4K024CB04 , 4K024CB08 , 4K024CB19 , 4K024GA16 , 4M104BB01 , 4M104CC01 , 4M104DD06 , 4M104DD22 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD52 , 4M104DD86 , 4M104FF16 , 4M104FF22 , 4M104GG10 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK34 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ53 , 5F033QQ92 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS11 , 5F033SS21

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