特許

J-GLOBAL ID：200903051459527949

熱電半導体材料および熱電半導体材料の製造方法

発明者： 小西 明夫 ,  福田 克史
出願人/特許権者： 株式会社小松製作所
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-175611
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106460
出願日： 1999年06月22日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】焼結させて強度を向上させた場合であっても、それによって従来のPbTe系やPbSnTe系などの半導体材料のように熱電特性が低下せず、熱電特性に優れた新たな熱電半導体材料を提供する。【解決手段】本発明の熱電半導体材料は、化学式AB2X4(ただしAはPb、Sn、Ge(IV族元素)の単体あるいは混合物であり、BはBi、Sb(V族元素)の単体あるいは混合物であり、XはTe、Se(VI族元素)の単体あるいは混合物である)からなることを特徴とする。この場合、放電プラズマ焼結装置10を用いて、粉末化した原料14に対して、パルス状の電流が通電されることにより粉体粒子間で放電が行われ、均一の組織の化合物AB2X4が合成される。

請求項（抜粋）：

化学式AB2X4(ただしAはPb、Sn、Ge(IV族元素)の単体あるいは混合物であり、BはBi、Sb(V族元素)の単体あるいは混合物であり、XはTe、Se(VI族元素)の単体あるいは混合物である)からなる熱電半導体材料。

IPC (4件)：

H01L 35/16 ,  B22F 3/10 ,  C01B 19/04 ,  H01L 35/34

FI (4件)：

H01L 35/16 ,  C01B 19/04 Z ,  H01L 35/34 ,  B22F 3/10 F