特許
J-GLOBAL ID：200903051461692485
露光用マスクとこれを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-148596
公開番号（公開出願番号）：特開平5-323575
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1993年12月07日
要約：
【要約】【目的】 ウエハのオリフラと正確な位置合わせが正確に行える露光用マスクとこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 露光用マスク1のマスクブランク2にオリエンテーションフラット11とパターン3との位置合わせを行うための合わせマーク4を設ける。合わせマーク4として直線状パターンや点状パターンを形成し、複数の合わせマーク4の間に一定間隔のスケールパターン41a、41bを設ける。また、露光工程において、この露光用マスク1の合わせマーク4とウエハ10のオリエンテーションフラット11との位置合わせを行う半導体装置の製造方法である。
請求項（抜粋）：
マスクブランクに形成されたパターンを、ウエハのオリエンテーションフラットに合わせて転写するための露光用マスクにおいて、前記マスクブランクには、前記オリエンテーションフラットと前記パターンとの位置合わせを行うための合わせマークが設けられていることを特徴とする露光用マスク。
IPC (4件)：
G03F 1/08
, G03F 9/00
, H01L 21/027
, H01L 21/68
