特許

J-GLOBAL ID：200903051464109217

正の抵抗温度特性を有する半導体磁器

発明者： 並河 康訓 ,  新見 秀明 ,  竹内 信行
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-375766
公開番号（公開出願番号）：特開2001-328863
出願日： 2000年12月11日
公開日（公表日）： 2001年11月27日
要約：

【要約】【課題】 チタン酸バリウム系半導体磁器を、PTC特性を確保しつつ低抵抗化する。【解決手段】 半導体化したチタン酸バリウム系磁器と、鉛酸バリウム磁器とを所定の割合で混合する。また、半導体化したチタン酸バリウム系磁器の含有量を58〜70体積%とする。また、半導体化したチタン酸バリウム系磁器の含有量を61〜68体積%とする。

請求項（抜粋）：

(a)半導体化したチタン酸バリウム系磁器と、(b)鉛酸バリウム磁器とを所定の割合で混合したことを特徴とする正の抵抗温度特性を有する半導体磁器。

IPC (2件)：

C04B 35/46 ,  H01C 7/02

FI (2件)：

C04B 35/46 N ,  H01C 7/02

Fターム (8件)：

4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA11 ,  4G031AA32 ,  4G031BA04 ,  5E034AA10 ,  5E034AC02 ,  5E034AC06