特許

J-GLOBAL ID：200903051465406541

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 竹内 健 ,  作井 康司 ,  田中 智晴
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-116005
公開番号（公開出願番号）：特開平8-077781
出願日： 1995年05月15日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 チップ面積を増加させることなく、高速なランダムリードを可能とするセルアレイ及びセンスアンプ回路を持つNANDセル型EEPROMを提供すること。【構成】 複数個の不揮発性メモリセルを直列接続してなるNANDセルをビット線と導通させる第1の選択MOSトランジスタSTDと、NANDセルとソース線を導通させる第2の選択MOSトランジスタSTSと、から構成されるメモリセルユニットがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイを有するNANDセル型EEPROMにおいて、STDのしきい値がSTSのそれよりも大きい第1のメモリセルユニットと、STDのしきい値がSTSのそれより小さい第2のメモリセルユニットとが、各々のSTDと各々のSTSでゲート電極を共有してサブアレイを構成していることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

1個又は複数個の不揮発性メモリセルから構成される不揮発性メモリ部と、この不揮発性メモリ部を第1の共通信号線と導通させる第1の選択MOSトランジスタと、前記不揮発性メモリ部と第2の共通信号線を導通させ、且つ第1の選択MOSトランジスタとはしきい値が異なる第2の選択MOSトランジスタと、から構成されるメモリセルユニットがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/06 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 307 D ,  G11C 17/00 520 A ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-263693