MIMキャパシタの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-337597
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142588
出願日： 2001年11月02日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】経時的に耐圧が劣化する恐れがあるMIMキャパシタの流出を防ぐ。【解決手段】基板1の上面の一部領域に下部電極2を形成し、下部電極2が形成された基板1上に誘電体膜3を形成し、ウエットエッチングにより誘電体膜3を所定の厚さ除去し、さらに下部電極2に対向するように誘電体膜3の上に上部電極4を形成する。【効果】ウエットエッチングにより誘電体膜の微小な欠陥部分が拡大される。これによって容易にスクリーニング選別が可能なレベルまで欠陥部分の耐圧が低下し、耐圧不良のMIMキャパシタとして確実に選別、除去することができる。

請求項（抜粋）：

基板の上面の一部領域に下部電極を形成する工程と、前記下部電極が形成された前記基板上に誘電体膜を形成する工程と、ウエットエッチングにより前記誘電体膜を所定の厚さ除去する、ウエットエッチング工程と、前記下部電極に対向するように前記誘電体膜の上に上部電極を形成する工程とを含むことを特徴とするMIMキャパシタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/822 , H01L 21/66 , H01L 27/04

FI (3件)：

H01L 21/66 Q , H01L 27/04 C , H01L 27/04 T

Fターム (15件)：

4M106AA01 , 4M106BA14 , 4M106CA14 , 4M106CA56 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038DF02 , 5F038DT10 , 5F038DT11 , 5F038EZ01 , 5F038EZ02 , 5F038EZ11 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20

前のページに戻る