特許

J-GLOBAL ID：200903051468864125

電界発光素子の製造方法及びその装置

発明者： 西村 貞一郎 ,  西口 昌男
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-201543
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017261
出願日： 2001年07月03日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 パターニングが不可能とされる発光領域の構成層を均一かつ高膜質にパターン化して形成する上に、そのパターン化を幅広い粘度範囲及び広範囲の溶剤の選択使用下で行える短時間に実施可能な電界発光素子の製造方法及びその装置を提供すること。【解決手段】 透明画素電極2と陰極10との間に、発光領域を有する層としてホール輸送層4及び電子輸送性発光層5が設けられた電界発光素子の製造方法において、少なくとも電子輸送性発光層5を、その構成材料の凸版反転オフセット法による転写で所定パターンに形成することを特徴とする、電界発光素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

第一の電極と第二の電極との間に、発光領域を有する層が設けられた電界発光素子の製造方法において、前記層のうち少なくとも一層を、その構成材料の凸版反転オフセット法による転写で所定パターンに形成することを特徴とする、電界発光素子の製造方法。

IPC (4件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22

FI (4件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/12 B ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 D

Fターム (12件)：

3K007AB02 ,  3K007AB03 ,  3K007AB04 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01