特許
J-GLOBAL ID:200903051469034568

スパッタリング用チタンシリサイドターゲット

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 富田 和夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-080042
公開番号(公開出願番号):特開平10-273776
出願日: 1997年03月31日
公開日(公表日): 1998年10月13日
要約:
【要約】【課題】 半導体素子の拡散防止膜として使用するチタンシリサイド薄膜を形成にするためのスパッタリングターゲットをを提供する。【解決手段】 モル比でSi/Ti=0.5〜0.7の組成を有し、かつ密度比が95%以上有することを特徴とする。
請求項(抜粋):
モル比でSi/Ti=0.5〜0.7の組成を有し、かつ密度比が95%以上有することを特徴とするスパッタリング用チタンシリサイドターゲット。
IPC (5件):
C23C 14/34 ,  C01B 33/06 ,  C22C 14/00 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285
FI (5件):
C23C 14/34 A ,  C01B 33/06 ,  C22C 14/00 Z ,  H01L 21/285 301 S ,  H01L 21/285 301 T

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