特許
J-GLOBAL ID:200903051475168991
高周波用半導体デバイスの評価装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青山 葆 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-011177
公開番号(公開出願番号):特開平11-211790
出願日: 1998年01月23日
公開日(公表日): 1999年08月06日
要約:
【要約】【課題】 高周波用半導体デバイスの特性評価に適した電極ピンを有する評価装置を提供する。【解決手段】 本発明の高周波用半導体デバイスの評価装置は、高周波用半導体デバイスの電気特性を評価するための装置であって、上記高周波用半導体デバイスの接点と、上記評価装置の信号源及び評価用の測定回路とを接続するための電極ピンとして、曲線形状の板バネを用いることを特徴とする。
請求項(抜粋):
高周波用半導体デバイスの電気特性を評価するための装置であって、上記半導体デバイスの接点に接する接点部と、上記評価装置の入出力端子に接続される接続部とを有し、接点部と接続部とを滑らかにつなげた形状の板バネをプローブとして設けたことを特徴とする高周波用半導体デバイスの評価装置。
IPC (3件):
G01R 31/26
, G01R 1/06
, H01L 21/66
FI (4件):
G01R 31/26 J
, G01R 1/06 F
, H01L 21/66 B
, H01L 21/66 D
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