特許
J-GLOBAL ID：200903051476156156
赤外線センサおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菊谷 公男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-034906
公開番号（公開出願番号）：特開平6-229821
出願日： 1993年01月30日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 小型で、高感度、生産性の良い赤外線センサとする。【構成】 成膜、エッチング等を施して赤外線センサ素子501を形成支持するとともに赤外線フィルター502が形成されるシリコンの半導体基板503と、キャビティ506が形成されその凹面を反射鏡504とする半導体基板505とが重ねあわされている。 入射光は赤外線フィルターを経て直接赤外線センサ素子に達するほか、反射鏡によって反射集光されて赤外線センサ素子に導かれる。これにより、高価な赤外線用集光レンズが不要で高感度のセンサが小型に得られ、また、赤外線センサ素子が空間内に保護されるから、実装工程での破損が避けられ、歩留りが向上する。
請求項（抜粋）：
互いに重ね合わされた赤外線フィルタ構成部材と半導体基板との間に空間が形成され、該空間内に赤外線検出部が配設され、前記半導体基板の前記空間を画する面には反射鏡が形成されて、前記赤外線フィルターから入射する赤外線を前記赤外線検出部に向け反射集光するように構成されたことを特徴とする赤外線センサ。
IPC (3件)：
G01J 1/02
, G01J 5/02
, H01L 37/00
