特許
J-GLOBAL ID：200903051488552987
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-244788
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092794
出願日： 1996年09月17日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 試料に入射する成分が正イオンと電子であるという点及びエッチングの物理的、化学的反応を正イオンのみに頼っているという点を改善し、荷電分離等に起因してプラズマエッチングの際に生じる種々の問題を解決する。【解決手段】 容器11内に導入された反応性ガスのプラズマによって容器11内に保持された被処理試料Sの処理を行うプラズマ処理装置において、シート状の横磁場を容器11内に発生させる複数の永久磁石21を設け、永久磁石21によって生じるシート状の横磁場により被処理試料S近傍におけるプラズマ中の負イオンの割合を増加させ、負イオンの増加したプラズマによって被処理試料Sの処理を行う。
請求項（抜粋）：
容器内に導入された反応性ガスのプラズマによって該容器内に保持された被処理試料の処理を行うプラズマ処理装置において、シート状の横磁場を上記容器内に発生させる磁場発生手段を設け、上記磁場発生手段によって生じるシート状の横磁場により上記被処理試料近傍におけるプラズマ中の負イオンの割合を増加させ、該負イオンの増加したプラズマによって被処理試料の処理を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
H01L 21/302 B
, C23C 16/50
, C23F 4/00 G
, H01L 21/205
