特許
J-GLOBAL ID:200903051490191460
拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
倉内 基弘 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-351106
公開番号(公開出願番号):特開平6-172993
出願日: 1992年12月07日
公開日(公表日): 1994年06月21日
要約:
【要約】【目的】 ターゲット材とバッキングプレートのボンディングにおいて結晶粒径を含めてターゲット材への悪影響の無い直接接合技術の確立。【構成】 1000°C未満の融点を有するターゲット材(例:Al乃至Al合金)1とバッキングプレート2とをインサート材(例:Ag乃至Ag合金)3を介して固相拡散接合したスパッタリングターゲット組立体。両者は固相拡散接合界面4を介して強固にボンディングされている。所定の最終形状のターゲット材と所定の最終形状のバッキングプレートとを1種以上のインサート材を間に挿入して真空下で150〜300°Cの温度及び1.0〜20kg/mm2の圧力条件で固相拡散接合させる。100%接合率の高い密着性と高い接合強度が得られる。ターゲット材の結晶粒径を250μm以下に押えることが出来る。
請求項(抜粋):
1000°C未満の融点を有するターゲット材と、1種以上のインサート材と、バッキングプレートとを備え、該ターゲット材と該インサート材並びに該インサート材と該バッキングプレートがそれぞれ固相拡散接合界面を有するとともに、該ターゲット材の結晶粒径が250μm以下であることを特徴とする固相拡散接合スパッタリングターゲット組立体。
IPC (3件):
C23C 14/34
, B23K 20/00 310
, H01L 21/203
引用特許:
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