特許
J-GLOBAL ID：200903051490955428

半導体装置およびその製造方法

発明者：
村川 惠美

村川 惠美 について

, 
松下 実

松下 実 について

, 
尾▲崎▼ 成則

尾▲崎▼ 成則 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-260181
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068850
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】 信頼性の高い半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。【解決手段】 エッチングにより、多孔質シリコン酸化膜からなる第2絶縁層13および第3絶縁層14を貫通して、接続孔21の一部となる孔を形成する。さらに、第2ストッパ膜20を用いて、第3絶縁層14に、第2の溝23をエッチングにより形成する。さらに、接続孔21および第2の溝23の側壁に、RLSA型のプラズマ処理装置を用いたシリコン酸化膜の直接窒化を施し、SiN膜からなるバリヤ層25を形成する。ここで、第2ストッパ膜20も、バリヤ層25と同様の直接窒化により形成されている。
請求項（抜粋）：
一面側に溝を備えるとともに、前記溝の底から他面側に貫通する孔を備え、シリコンを主成分として構成される絶縁層を形成する工程と、窒素を含むガスのプラズマに、前記溝および前記孔の内壁の表面を曝露し、前記溝および前記孔の内壁の表面領域にシリコン窒化膜から構成されるバリヤ層を形成するバリヤ層形成工程と、前記バリヤ層を介した、前記溝および前記孔の内側に、導体材料からなる配線層を埋め込む工程と、を備える、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/3205
FI (7件)：
H01L 21/316 B ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/318 A ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 M
Fターム (59件)：
5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM15 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR29 ,  5F033SS00 ,  5F033SS07 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033TT07 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX04 ,  5F033XX12 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F033XX28 ,  5F058BA05 ,  5F058BC08 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF02 ,  5F058BF11 ,  5F058BF74 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (6件)
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