特許

J-GLOBAL ID：200903051491551797

表面伝導型電子放出素子の製造方法および同方法によって製造された表面伝導型電子放出素子ならびに同電子放出素子を備えた電子源基板・表示パネル・画像形成装置

発明者： 小柳 和夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-056875
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255560
出願日： 1995年03月16日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】 レーザー加工法によって素子電極を作製し、製造コストが低く且つ良好な画像を与える大画面用の表面伝導型電子放出素子の製造方法を提供する。【構成】 基板上に電極部材である第1層を形成し、その後第1層と異なる材料で第2層を形成し、次いでレーザーの照射により素子電極を所望の形状に加工し、最後に第2層だけを除去して素子電極を作製することを特徴とする表面伝導型電子放出素子の製造方法。また、この方法によって製造された表面伝導型電子放出および同電子放出素子を備えた電子源基板・表示パネル・画像形成装置。

請求項（抜粋）：

少なくとも1対の素子電極、導電性薄膜および電子放出部を基板上に備えた表面伝導型電子放出素子の製造方法において、(工程1)基板上に電極部材である第1層を形成する第1工程、(工程2)第1層と異なる材料で第2層を形成する第2工程、(工程3)レーザーの照射により素子電極を所望の形状に加工する第3工程、(工程4)第2層だけを除去する第4工程、からなる製造方法によって、前記の1対の素子電極を形成することを特徴とする表面伝導型電子放出素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/30 ,  H01J 31/12 ,  H01J 31/15 ,  H04N 5/68

FI (5件)：

H01J 9/02 B ,  H01J 1/30 B ,  H01J 31/12 B ,  H01J 31/15 C ,  H04N 5/68 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭51-133895
  
• 特開昭53-001860
  
• 特開昭55-140290
  
• 特開平2-200532