特許

J-GLOBAL ID：200903051493222120

チツプ型サーミスタ及びサーミスタ電極及びチツプ型サーミスタの製造方法

発明者： 宮下 安央
出願人/特許権者： コーア株式会社
代理人 (1件)： 大塚 康徳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-297082
公開番号（公開出願番号）：特開平5-135914
出願日： 1991年11月13日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 低抵抗値で、かつ抵抗値のバラツキも最少に抑えることができるサーミスタを提供することを目的とする。【構成】 所定大きさのアルミナ基板10上に、サーミスタ体23を形成して成るチツプ型サーミスタであつて、アルミナ基板10と、該アルミナ基板10上に所定距離離反して設けられた両電極基部11,21より相手電極基部方面に交互に所定長さ延出した電極端子と、該電極端子上にサーミスタ体層23を形成してなる。【効果】 以上の構成において、電極間の距離を任意かつ一定にすることができ、量産効果の高い、しかも電極間抵抗値も低くでき、その抵抗値のバラツキも最少に抑えることができるチツプ型サーミスタ、およびサーミスタ電極を提供できる。

請求項（抜粋）：

所定大きさのアルミナ基板上にサーミスタ体を形成して成るチツプ型サーミスタであつて、アルミナ基板と、該アルミナ基板上に所定距離離反して設けられた両電極基部より相手電極基部方面に交互に所定長さ延出した電極端子と、該電極端子上にサーミスタ体層を形成してなることを特徴とするチツプ型サーミスタ。

IPC (3件)：

H01C 7/04 ,  H01C 17/00 ,  H01C 17/28

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭53-128752
  
• 特公昭50-015316