透明導電膜とその製造方法および透明導電膜付き基体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-282950
公開番号（公開出願番号）：特開2000-108244
出願日： 1998年10月05日
公開日（公表日）： 2000年04月18日
要約：

【要約】【課題】高透過率で膜の表面に凹凸が少ない低比抵抗の透明導電膜とその製造方法および透明導電膜付き基体の提供。【解決手段】基体上に、ZnOを含む膜と、該ZnOを含む膜の上に直接設けられたInおよび/またはSnの酸化物を含む膜とからなる透明導電膜であって、前記ZnOを含む膜の幾何学的膜厚が1〜150nmであることを特徴とする透明導電膜その製造方法および透明導電膜付き基体。

請求項（抜粋）：

基体上に、ZnOを含む膜と、該ZnOを含む膜の上に直接設けられたInおよび/またはSnの酸化物を含む膜とが設けられてなる透明導電膜であって、前記ZnOを含む膜の幾何学的膜厚が1〜150nmであることを特徴とする透明導電膜。

IPC (2件)：

B32B 9/00 , H05B 33/28

FI (2件)：

B32B 9/00 A , H05B 33/28

Fターム (42件)：

3K007AB00 , 3K007AB03 , 3K007CA01 , 3K007CA05 , 3K007CB01 , 3K007DA02 , 3K007DB00 , 3K007DC01 , 3K007DC02 , 3K007FA01 , 4F100AA04B , 4F100AA05C , 4F100AA17B , 4F100AA17C , 4F100AA19B , 4F100AA20B , 4F100AA20C , 4F100AA25B , 4F100AA28B , 4F100AA28C , 4F100AA29C , 4F100AA30B , 4F100AA30C , 4F100AA33C , 4F100AT00A , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10C , 4F100BA13 , 4F100EH662 , 4F100GB48 , 4F100GB90 , 4F100JB01B , 4F100JG01 , 4F100JG01B , 4F100JG01C , 4F100JK15 , 4F100JN01 , 4F100JN01C , 4F100YY00B , 4F100YY00C

前のページに戻る