特許
J-GLOBAL ID：200903051502210830
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-194423
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040504
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 HSG-Si膜等、ウェハー上に形成される膜の表面積増加率を向上させる。【解決手段】 シリコン膜表面に半球状あるいはマッシュルーム状のグレインを成長するバッチ式CVD成長装置において、シリコン膜成長用ガスが導入される反応部201において、反応部201内でのガス上流側の温度をガス下流側の温度に比べて高く設定する。これによって、シリコン膜表面での核形成速度および結晶核成長レートを均一にし、膜表面での凸凹のバッチ内均一性を高める。
請求項（抜粋）：
バッチ式減圧化学気相成長装置の反応部に膜成長用原料ガスを導入しつつ成膜させる半導体装置の製造方法であって、前記反応部におけるガス上流側の温度を下流側の温度に比べて高く設定するものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/205
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 621 Z
