金属配線膜の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：安田敏雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-119835
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308029
出願日： 2000年04月20日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】絶縁膜の電極層(シード層)との密着性を十分確保する。【解決手段】バリア膜層3に電極層4を形成した後、高温高圧ガス雰囲気下で熱処理を施した後、電極層4に金属材料よりなる被覆層5を形成し、孔・溝2Aに当該金蔵材料を充填した。

請求項（抜粋）：

孔・溝が形成された絶縁膜を有する基板の当該絶縁膜の表面側に、電極層(シード層)を形成した後、該電極層の密着性を向上すべく高温高圧ガス雰囲気下で熱処理を施し、その後前記電極層の表面を金属材料で被覆して前記孔・溝の内部に当該金属材料を充填することを特徴とする金属配線膜の形成方法。

IPC (8件)：

H01L 21/28 , C23C 14/14 , H01L 21/203 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , H01L 21/288 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (9件)：

H01L 21/28 B , C23C 14/14 D , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S , H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 R , H01L 21/288 E , H01L 21/88 R , H01L 21/90 C

Fターム (60件)：

4K029AA06 , 4K029BA02 , 4K029BA08 , 4K029BA13 , 4K029BB02 , 4K029BC03 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029GA01 , 4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB32 , 4M104CC01 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD52 , 4M104DD75 , 4M104DD78 , 4M104EE05 , 4M104EE17 , 4M104FF17 , 4M104GG13 , 4M104HH01 , 4M104HH08 , 4M104HH16 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ32 , 5F033KK01 , 5F033KK03 , 5F033KK07 , 5F033MM01 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ86 , 5F033XX04 , 5F033XX05 , 5F103AA10 , 5F103DD28 , 5F103HH10 , 5F103LL14 , 5F103PP03 , 5F103PP14 , 5F103RR05

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