絶縁ゲート型半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉武賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-391650
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197912
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】低耐圧絶縁ゲート型半導体装置において、チャネル抵抗およびオン電圧を低減した絶縁ゲート型半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁ゲート型半導体装置100は、第1導電型の第1のベース層110と、その表面に形成された第2導電型の第2のベース層120と、第1のベース層の裏面側に形成された第2導電型のコレクタ層140と、第2のベース層の表面にて互いにほぼ平行に延伸している複数の第1のゲート電極部分160aと互いに隣り合う第1のゲート電極部分の間を接続している複数の第2のゲート電極部分160bとを有するトレンチ型ゲート電極160と、第2のベース層の表面にて第1のゲート電極部分と第2のゲート電極部分とにより囲まれたベース表面領域のうち任意のベース表面領域に形成された第1導電型のエミッタ層180と、エミッタ層を有するベース表面領域に接続されたエミッタ電極195とを備える。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1のベース層と、前記第1のベース層の表面に形成されている第2導電型の第2のベース層と、前記第1のベース層の裏面の側に形成されている第2導電型のコレクタ層と、前記第2のベース層の表面から該第2のベース層を貫通して前記第1のベース層へ達しており、前記第1のベース層および前記第2のベース層から絶縁されたトレンチ型ゲート電極であって、前記第2のベース層の表面において、互いにほぼ平行に延伸している複数の第1のゲート電極部分と互いに隣り合う前記第1のゲート電極部分の間を接続している複数の第2のゲート電極部分とからなるトレンチ型ゲート電極と、前記第2のベース層の表面において、前記第1のゲート電極部分と前記第2のゲート電極部分とによって囲まれたベース表面領域のうち、任意のベース表面領域に選択的に形成されている第1導電型のエミッタ層と、前記エミッタ層を有するベース表面領域に接続されたエミッタ電極と、を備えた絶縁ゲート型半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 655 , H01L 29/78 653

FI (2件)：

H01L 29/78 655 G , H01L 29/78 653 A

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