特許
J-GLOBAL ID：200903051515318541

光半導体素子およびその製造方法

発明者：
坪田 孝志

坪田 孝志 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-264914
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125267
出願日： 1994年10月28日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザ部25および光変調器部37を集積化した光半導体素子41の両部分を光学的に結合しかつ電気的に分離するための電気的分離部39をエッチングにより形成する際に、エッチングダメージ等が素子におよびにくくする。【構成】 半導体レーザ部25、光変調器部37および電気的分離部39に共通なストライプ状の半導体層(メサ構造33)の、電気的分離部39形成予定部分をウエットエッチングにより狭幅化する。ただし、半導体レーザ部および光変調器部おのおのの前記電気的分離部側の端部から、エッチングダメージなどを考慮した所定距離だけ退避した部分に対してこのエッチングを行なう。
請求項（抜粋）：
ストライプ状の半導体層の一部分を素子構成要素として含む半導体レーザ部と、前記ストライプ状の半導体層の他の一部分を素子構成要素として含む光変調器部とを具え、前記ストライプ状の半導体層の、前記半導体レーザ部と光変調器部との間の部分が、両者を光学的に結合するが電気的には分離する電気的分離部とされている光半導体素子において、前記ストライプ状の半導体層の前記電気的分離部における幅を他の部分より狭い所定の幅としてあることを特徴とする光半導体素子。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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