特許
J-GLOBAL ID：200903051515500854
半導体チップの試験方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-320317
公開番号（公開出願番号）：特開平7-174815
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：
【要約】【目的】 半導体チップパターンのプロセスと同時に形成されるテストパターンの導通試験によって半導体チップの良否を判別する半導体チップの試験方法に関し、導通試験に際して高電流を印加することによって半導体チップの品質の向上を図ることを目的とする。【構成】 半導体チップパターンのプロセスと同時に形成されるテストパターンを該半導体チップパターンに併設し、ウエハをカッティングすることによって半導体チップの形成を行う時、所定の該半導体チップをサンプリングし、サンプリングした該半導体チップに於ける該テストパターンの導通試験によって同一のウエハから形成される該半導体チップの良否の判別を行うように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体チップパターン(2) が形成されるウエハ(1) をカッテイングすることによって形成される半導体チップ(3) に導通試験を行い、該半導体チップ(3) の良否を判別する半導体チップの試験方法であって、前記ウエハ(1) には、前記半導体チップパターン(2) に併設されるテストパターン(4) を設け、該ウエハ(1) のカッテイング後、所定の前記半導体チップ(3)をサンプリングし、サンプリングした該半導体チップ(3) に於ける該テストパターン(4) の導通試験により、同一の該ウエハ(1) から形成される該半導体チップ(3) の良否の判別を行うことを特徴とする半導体チップの試験方法。
IPC (2件)：
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