特許
J-GLOBAL ID：200903051520758630
半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-139718
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332357
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 GaN系半導体レーザのリッジストライプ形成工程をより簡便なものとする。【解決手段】 基板上に窒化物半導体から成るダブルヘテロ構造を積層した後、レジストマスクを用いてリッジストライプパターンを形成し、Si3N4などの誘電体膜を電子サイクロトロン共鳴プラズマとSiターゲットおよび窒素ガスによって堆積し、しかる後にリフトオフによってリッジ上のレジストおよびSi3N4を除去する。
請求項（抜粋）：
基板上にレジストを用いてパターンを形成する工程と、電子サイクロトロン共鳴スパッタによって誘電体膜を堆積する工程と、リフトオフによってレジストおよび該レジスト上の該誘電体膜をを除去する工程を有している半導体素子の製造方法。
Fターム (13件)：
5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073BA06
, 5F073CA04
, 5F073CA05
, 5F073CA07
, 5F073CA13
, 5F073CA14
, 5F073CB04
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA25
, 5F073EA18
