特許

J-GLOBAL ID：200903051525505358

利得結合型DFBレーザおよびその製造方法

発明者： 柿本 昇一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-310103
公開番号（公開出願番号）：特開平6-164051
出願日： 1992年11月19日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 製造時に特性を決定するのに必要なパラメータを減らして特性の揃った単一モード発振利得結合型DFBレーザを高い歩留で製造可能にする。【構成】 基板上に形成された活性層上にn型クラッド層を形成し、該n型クラッド層上に吸収損失係数が比較的大きく且つ上記活性層が放出する光のエネルギーと同一またはそれ以下のバンドギャップ・エネルギーをもったp型InGaAsP層からなる第1の吸収領域を一定の間隔を保って形成し、該第1の吸収領域を吸収損失係数が比較的小さく且つ上記p型InGaAsP層と同一組成をもったn型InGaAsP層からなる第2の吸収領域で埋込むことにより、上記n型クラッド層上に上記第1の吸収領域と第2の吸収領域を周期的に配置したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された活性層上にn型クラッド層を形成し、該n型クラッド層上に吸収損失係数が比較的大きく且つ上記活性層が放出する光のエネルギーと同一またはそれ以下のバンドギャップ・エネルギーをもったp型InGaAsP層からなる第1の吸収領域を一定の間隔を保って形成し、該第1の吸収領域を吸収損失係数が比較的小さく且つ上記p型InGaAsP層と同一組成をもったn型InGaAsP層からなる第2の吸収領域で埋込むことにより、上記n型クラッド層上に上記第1の吸収領域と第2の吸収領域を周期的に配置したことを特徴とする利得結合型DFBレーザ。