特許
J-GLOBAL ID：200903051530611743
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-127826
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321478
出願日： 1995年05月26日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、製造歩留りを向上させるとともにコスト低減を図ることを目的とする。【構成】 接合前に、半導体基板1上の切断領域2に対応した絶縁体基板3上の領域にハーフカットの第1の切り込み5を形成し、接合後にフルカットの第2の切り込み8で半導体装置チップ9に分離することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
主面に半導体装置パターンが繰り返し形成された半導体基板の裏面に絶縁体基板を接合した接合体を切断領域に沿って切断して半導体装置チップに分離する半導体装置の製造方法において、前記接合前に少なくとも前記絶縁体基板における前記切断領域に対応した領域にハーフカットの第1の切り込みを形成し、前記接合後にフルカットの第2の切り込みで前記半導体装置チップに分離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/78 L
, B28D 5/00 Z
, H01L 21/78 Q
