特許
J-GLOBAL ID：200903051531695576
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-180881
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029430
出願日： 1992年07月08日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ICのパッケージングコストを下げるために樹脂モールドを用い、かつICの高周波特性の悪化を低減することにある。【構成】 半導体集積回路(IC)表面に信頼性を確保するための第1保護膜15と、高周波特性の悪化を低減するための第2の保護膜30を作成し、第2の保護膜30は、樹脂モールド材の誘電率より小さい誘電率のものを使用することを特徴とする。【効果】 低誘電率を有する第2の保護膜がIC内の能動素子の電極間に入り込むため、高誘電率の樹脂モールド材が電極間に入り込まないため、第2の保護膜が電極間容量の増加を抑え、高周波特性の悪化を低減できる。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路を樹脂モールドした素子において、前記半導体集積回路表面に信頼性を確保する第1の保護膜と、高周波特性の悪化を低減する第2の保護膜を有し、第2の保護膜の誘電率は樹脂モールドに使用する樹脂の誘電率より小さいことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/30 D
, H01L 23/30 B
