半導体素子のコンタクトホール形成方法及びコンタクトホール

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-184087
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031768
出願日： 1994年07月13日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】nチャネル型及びpチャネル型半導体素子を合わせて作製するとき、各素子のコンタクトホールを同時に低抵抗化し得る、コンタクトホールの形成方法を提供する。【構成】コンタクトホール形成方法は、(イ)シリコン半導体基板10にソース・ドレイン領域20を形成した後、全面に絶縁層21を形成し、次に絶縁層に開口部22を形成し、(ロ)開口部内に金属層23を形成した後、ソース・ドレイン領域と同じ導電型の不純物を金属層23にイオン注入し、(ハ)基板に加熱処理を施し、金属層23の金属と基板10のシリコンとを反応させて、開口部底部に金属シリサイド層26を形成し、且つ、ソース・ドレイン領域界面及びその近傍における金属シリサイド層中にシリコン結晶粒を析出させ、併せてシリコン結晶粒中に取り込まれた不純物を活性化する工程と、(ニ)開口部内に金属配線材料28を堆積させる工程から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)シリコン半導体基板にソース・ドレイン領域を形成した後、全面に絶縁層を形成し、次いで、該ソース・ドレイン領域の上方の絶縁層に開口部を形成する工程と、(ロ)少なくとも該開口部内に金属層を形成した後、ソース・ドレイン領域の導電型と同じ導電型を有する不純物を該金属層にイオン注入する工程と、(ハ)該シリコン半導体基板に加熱処理を施し、開口部底部の金属層を構成する金属とシリコン半導体基板を構成するシリコンとを反応させて、開口部底部に金属シリサイド層を形成し、且つ、該開口部底部のソース・ドレイン領域界面及びその近傍における金属シリサイド層中にシリコン結晶粒を析出させ、併せてイオン注入されそして該析出したシリコン結晶粒中に取り込まれた不純物を活性化する工程と、(ニ)少なくとも開口部内に金属配線材料を堆積させる工程、から成ることを特徴とする半導体素子のコンタクトホール形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/265 , H01L 21/768 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 21/265 W , H01L 21/90 C , H01L 27/08 321 F

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