特許

J-GLOBAL ID：200903051534884841

半導体装置の成膜方法

発明者： 三宅 正司 ,  馬場 創
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 長谷川 文廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-079267
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280380
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 従来、強誘電体の成膜法としてはスパッタ、CVD、ゾルゲル法等が用いられているが、通常、成膜後に酸素雰囲気下で650°Cの熱処理をされ、ポリマーなどの低融点材料の基板によっては品質に大きな影響が生じる。【解決手段】 強誘電体薄膜や高誘電体薄膜などの誘電体薄膜を容量素子に用いる半導体装置の製造において、誘電体薄膜の成膜後に、酸素存在下の雰囲気中で、1から100GHzのマイクロ波を照射して、その誘電加熱により薄膜を熱処理するものである。具体例として、シリコン基板上に電子サイクロトロン共鳴(ECR)を利用したプラズマスパッタ法により、チタン酸ストロンチウム SrTi O3 を数百nm成膜した後、大気中で28GHzのマイクロ波を照射してポストアニーリングしたところ、緻密で数10nmの微細な結晶を発現できた。

請求項（抜粋）：

基板上に強誘電体あるいは高誘電体の誘電体薄膜を成膜し、その後、誘電体薄膜にマイクロ波を照射して誘電加熱し、熱処理することを特徴とする半導体装置の成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C23C 14/58 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 Y ,  C23C 14/58 A ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (22件)：

4K029AA06 ,  4K029BA13 ,  4K029BA17 ,  4K029BA43 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC48 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF12 ,  5F058BF29 ,  5F058BH01 ,  5F083AD11 ,  5F083FR01 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 誘電体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-322332   出願人：松下電器産業株式会社
• 薄膜構成体とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-139152   出願人：富士通株式会社
• 薄膜作製方法および薄膜作製装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-138348   出願人：松下電器産業株式会社