特許

J-GLOBAL ID：200903051536826040

プラズマプロセス装置及びプラズマプロセス

発明者： 斉藤 誠 ,  高木 茂行
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-362782
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188280
出願日： 1998年12月21日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【課題】 長時間動作させても、膜状の堆積物が付着し難い形状の上部電極を有するプラズマプロセス装置を提供すること。【解決手段】 チャンバ21内部に媒質ガスを導入し、この媒質ガスを励起してチャンバ21内部に設けられた加工ステージ22に保持された基板23をプラズマ処理するプラズマプロセス装置20において、加工ステージ22に保持された基板23に所定の電圧を印加する下部電極28と、外周部33と比較して径方向内方側が所定高さだけ突出形成された突出電極部32を有し、チャンバ21の開放端部に下部電極28と対向配置されるように取り付けられてこの間で電界を印加すると共に、突出電極部32とチャンバ21の内壁との間に所定幅の凹部34が形成される上部電極31と、を具備することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

チャンバ内部に処理ガスを導入し、この処理ガスを励起してチャンバ内部に設けられた保持手段に保持された被処理物をプラズマ処理するプラズマプロセス装置において、上記保持手段に保持された上記被処理物に所定の電圧を印加する第1の電極手段と、上記チャンバの上記第1の電極手段と対向する上壁面に、上記チャンバの周壁面との間に所定幅寸法を有して形成された第2の電極手段と、を具備することを特徴とするプラズマプロセス装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285

FI (3件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C

Fターム (23件)：

4M104DD44 ,  4M104HH20 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA06 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004BC08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DB00 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045DP01 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EF13 ,  5F045EF14 ,  5F045EH13