特許

J-GLOBAL ID：200903051537954662

半導体装置およびその製造方法

発明者： 大谷 成元
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-216020
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069561
出願日： 1992年08月13日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、酸化物超伝導体層を含む半導体装置およびその製造方法に関関し、酸化物超伝導体の成長の下地となるバッファー層を実際のLSI配線の適用可能な程度に薄くすることを目的とする。【構成】 半導体基板上に形成された絶縁層としての酸化膜と、該酸化膜上に形成された、部分的に(k00)または(00k)または(kkk)〔ここでkは0でない整数〕に配向し且つ該配向した領域の少なくとも一部が上面まで達している第1のバッファー層と、該第1バッファー層上に形成された、少なくとも上面の全体が実質的に該第1バッファー層の該配向領域と同一の配向をしている第2のバッファー層と、該第2バッファー層上に形成された、ペロブスカイト構造を有する酸化物超伝導体の層とを含むように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁層としての酸化膜、該酸化膜上に形成された、部分的に(k00)または(00k)または(kkk)〔ここでkは0でない整数〕に配向し且つ該配向した領域の少なくとも一部が上面まで達している第1のバッファー層、該第1バッファー層上に形成された、少なくとも上面の全体が実質的に該第1バッファー層の該配向領域と同一の配向をしている第2のバッファー層、および該第2バッファー層上に形成された、ペロブスカイト構造を有する酸化物超伝導体の層を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 39/24 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 19/00 ,  H01B 12/06 ZAA ,  C01G 29/00 ZAA