特許
J-GLOBAL ID:200903051538378002

多波長半導体レーザ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松永 孝義 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-261992
公開番号(公開出願番号):特開平5-102613
出願日: 1991年10月09日
公開日(公表日): 1993年04月23日
要約:
【要約】【目的】 半導体レーザの信頼性を低下させる熱処理工程を用いず、複数の活性領域で発光波長の異なる多波長半導体レーザ装置を提供すること。【構成】 量子井戸構造の活性層13からなる複数の活性領域を持つ半導体レーザ装置において、前記複数の活性領域16、17は光学的利得の制御による互いに異なる電子遷移エネルギー量子準位を持つ。光学的利得の制御は、レーザの端面により形成される共振器の長さを調整すること、または光の出射損失をレーザの端面に形成した反射膜における反射率を調整することにより行う。
請求項(抜粋):
量子井戸構造の活性層からなる複数の活性領域を持つ多波長半導体レーザ装置において、前記複数の活性領域は光学的利得の制御による互いに異なる電子遷移エネルギー量子準位を持つことを特徴とする多波長半導体レーザ装置。
IPC (2件):
H01S 3/18 ,  H01S 3/08

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