特許
J-GLOBAL ID：200903051539200541
誘電体キャパシタ及び誘電体メモリ装置と、これらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-281527
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107223
出願日： 1996年10月02日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 残渣が少なく、電流のリークが少なく、形状に優れ、高集積化に適し、良絶縁性の誘電体キャパシタ及び誘電体メモリ装置と、経済的かつ効率的なこれらの製造方法を提供すること。【解決手段】 下部電極29と、この下部電極上に接して形成された誘電体膜20、34と、この誘電体膜上に接して形成された上部電極23と、下部電極29の周囲に接して設けられた絶縁膜21、33とを有し、この絶縁膜に予め欠除部17が加工され、少なくともこの欠除部内に被着された下部電極29が化学機械的研磨加工又はエッチバックによってなめらかな凹状面29a又は凸状面29bに形成され、この表面上に誘電体膜20が形成されている誘電体キャパシタCAP(1)〜CAP(4)、これらの誘電体キャパシタをメモリセルに有する誘電体メモリ装置M-CEL(1)〜M-CEL(4)、これらのキャパシタ又はメモリセルの製造方法。
請求項（抜粋）：
第1の電極と、この第1の電極上に接して形成された誘電体膜と、この誘電体膜上に接して形成された第2の電極と、前記第1の電極の周囲に接して設けられた絶縁膜とを有し、この絶縁膜に欠除部が所定パターンに形成され、少なくともこの欠除部内に被着された前記第1の電極が、なめらかな表面を呈するように所定形状に加工され、この表面上に前記誘電体膜が形成されている誘電体キャパシタ。
IPC (9件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, C23C 18/02
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/10 451
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 621 B
, C23C 18/02
, H01L 27/10 451
, H01L 27/04 H
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
