特許

J-GLOBAL ID：200903051541625100

半導体基板およびその製造方法

発明者： 小野田 邦広 ,  松井 正樹 ,  山内 庄一
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-304490
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145481
出願日： 1997年11月06日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】 SOI基板の半導体層として、異なる膜厚の素子形成領域を設ける構成として素子設計の自由度を向上する。【解決手段】 SOI基板1は、支持基板である単結晶シリコン基板2上に絶縁膜3を介して半導体層としての素子形成領域4が形成された構成である。素子形成領域4は、膜厚が厚い領域4aと薄い領域4bとが連結された状態に且つ周囲の部分とは絶縁分離された状態に形成されている。例えば、MOSトランジスタを形成する場合に、領域4aをソース,ドレイン領域とし、領域4bをチャネル領域とする。領域4aでは、シリサイド層を形成するのに十分な膜厚を確保でき、領域4bではチャネル層として利用するのに適した膜厚を維持する構成とすることができる。

請求項（抜粋）：

支持基板と、この支持基板上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜を介して前記支持基板上に形成され、他の領域と電気的に分離されるように前記絶縁膜により島状に区画されて形成された半導体層と、を備えた半導体基板において、前記絶縁膜における前記支持基板と前記半導体層との間の領域は、部分的に膜厚が異なる複数の領域からなり、前記半導体層は、前記絶縁膜の異なる膜厚の領域に対して、領域毎に異なる膜厚を有することを特徴とする半導体基板。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 618 D ,  H01L 27/12 B ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 21/76 D ,  H01L 29/78 621 ,  H01L 29/78 627 D