特許
J-GLOBAL ID：200903051546394777
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西田 新
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-092645
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291270
出願日： 1992年04月13日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 高速で、しかもその素子構造は複雑となることがなく、その製造方法が容易な半導体装置を提供する。【構成】 コレクタ領域,べース領域およびエミッタ領域を有するバイポーラトランジスタであって、そのコレクタ領域下方に形成された埋め込み層下面に接して金属層が形成された構造である。
請求項（抜粋）：
第1導電型基板上に、素子分離されたエピタキシャル層からなるトランジスタ領域が形成され、そのトランジスタ領域の表面層に第1導電型のべース領域と、第2導電型のエミッタ領域およびコレクタ領域と、そのコレクタ領域下面に接続する第2導電型の埋め込み層とが形成された半導体装置において、上記埋め込み層下面に接して金属層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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