特許
J-GLOBAL ID：200903051551936243
不揮発性メモリ回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松下 義治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-027343
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216147
出願日： 2005年02月03日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：
【課題】電源電圧が低い領域でも速く昇圧でき、動作速度が遅くならない不揮発性メモリ回路を提供すること。【解決手段】電源電圧を昇圧した電圧を利用してメモリアレイにデータを書き込む不揮発性メモリ回路において、前記不揮発性メモリ内に電源電圧をモニターする電源電圧検出回路と、発信周波数を可変にできる発信器と、前記発信器から出力されるクロック信号を利用して電源電圧を昇圧する昇圧回路を設け、電源電圧が低下したことを検出した時には、前記昇圧回路の発信器のクロック信号の周波数を大きくする構成とした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電源電圧を昇圧した電圧を利用してメモリアレイにデータを書き込む不揮発性メモリ回路において、前記不揮発性メモリ回路内に、電源電圧をモニターする電圧検出回路と、発振周波数を可変できる発振回路と、前記発振回路から出力されるクロック信号を利用して電源電圧を昇圧する昇圧回路とが設けられていることを特徴とする不揮発性メモリ回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C17/00 632A
, H02M3/07
5B125BA01
, 5B125CA01
, 5B125EG05
, 5B125EH02
, 5H730AA10
, 5H730AS04
, 5H730BB02
, 5H730BB57
, 5H730DD04
, 5H730DD12
, 5H730FD01
, 5H730FG07
出願人引用 (1件)
-
特許第3184065号「半導体集積回路装置及び電子機器」
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