特許
J-GLOBAL ID：200903051552855590
リードレスチツプキヤリア型半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-246697
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063106
出願日： 1991年08月31日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 リードレスチップキャリア型半導体装置の製造工程の自動化が容易であり、製造コストの低減を可能にする製造方法を提供することを目的とする。【構成】 絶縁基板1上に複数の半導体素子4を搭載するための導電パターン3を設け、導電パターン3上に半導体素子4をマウントし、ワイヤボンデイングし、更に、封入することにより、半導体装置を組み立て、その後絶縁基板1を各半導体装置毎に切断し、個別の半導体装置製品を得る。これにより、各工程の自動化が容易になり、生産コストを低減できる。
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子を載置するパターンを設けた絶縁基板上に半導体素子をマウントし、ワイヤボンデイング及び封入を行った後、前記絶縁基板を切断することを特徴とするリードレスチップキャリア型半導体装置の製造方法。
引用特許：
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