半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-269414
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097299
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】層間絶縁膜に有機絶縁膜を用いた多層配線構造を持つ半導体装置において、ビアホール部での金属配線間のコンタミを防ぎ接続抵抗の増大を防ぐ。【構成】半導体基板1上に、拡散層2、ゲート電極3等からなる素子を形成した後、無機層間絶縁膜4、第1層金属配線6aを形成する。第1有機層間絶縁膜7aを形成し、ビアホール8を形成した後、窒化膜の堆積とエッチバックによりビアホールの側壁に無機絶縁膜9を形成する。その後、第2層金属配線6bを形成し、さらにその上に第2、第3有機層間絶縁膜7b、7c、ビアホール8、無機絶縁膜9、第3、第4金属配線6c、6dを形成する。

請求項（抜粋）：

所定の位置に開口を有する有機絶縁膜と、前記開口を介して下層の導電体層に接続された、前記有機絶縁膜上に延在する金属配線と、を有する半導体装置において、前記開口の側壁は無機絶縁膜によって覆われていることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-209828
特開平2-142162
特開昭63-188959

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