特許

J-GLOBAL ID：200903051570568000

配線構造体、配線構造体の形成方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの形成方法、及び表示装置

発明者： 中村 弘喜
出願人/特許権者： 株式会社 液晶先端技術開発センター
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-400597
公開番号（公開出願番号）：特開2005-166757
出願日： 2003年11月28日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】配線構造体の本体部分が銅を主成分としているにもかかわらず、微細配線が可能であり、しかも、比抵抗が低く、周囲に銅が拡散し難く、且つ、基板への密着強度の高い配線構造体を提供する。【解決手段】主成分としての銅に金属酸化物形成用金属を混入してなる金属材料により形成され、基板70の被処理面70aに設けられたシード層30と、金属材料に含まれる金属酸化物形成用金属を酸化して形成され、基板70とシード層30との間に設けられたバリア層32と、シード層30上に設けられた銅配線層33と、を具備する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板が有する被処理面上に設けられた配線構造体であって、 主成分としての銅に金属酸化物形成用金属を混入してなる金属材料により形成され、前記基板の被処理面に設けられたシード層と、前記金属材料に含まれる金属酸化物形成用金属を酸化して形成され、前記基板と前記シード層との間に設けられたバリア層と、前記シード層上に設けられた配線構造体層と、を具備することを特徴とする配線構造体。

IPC (7件)：

H01L21/3205 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

FI (10件)：

H01L21/88 R ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/288 E ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 617J

Fターム (156件)：

2H092GA11 ,  2H092GA31 ,  2H092JA24 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB21 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092KB04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA11 ,  2H092MA14 ,  2H092MA17 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092PA12 ,  4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD23 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD55 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD78 ,  4M104EE02 ,  4M104EE16 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG20 ,  4M104HH05 ,  4M104HH09 ,  4M104HH14 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F033GG04 ,  5F033HH04 ,  5F033HH05 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH15 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH35 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ05 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK04 ,  5F033LL02 ,  5F033LL04 ,  5F033MM08 ,  5F033MM11 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033VV15 ,  5F033XX03 ,  5F033XX08 ,  5F033XX14 ,  5F033XX28 ,  5F033XX34 ,  5F110AA03 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 金属シ-ド層を挿入する構造の銅の相互接続
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-117513   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション