特許

J-GLOBAL ID：200903051570821082

トンネル磁気抵抗素子の加工方法

発明者： 平井 匡彦
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-118126
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314170
出願日： 2001年04月17日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】磁性体材料を主体とした薄膜により非磁性体を主体としたトンネル絶縁膜を挟んだ構造を有するトンネル磁気抵抗素子の微細加工プロセスにおいて、トンネル絶縁膜付近でエッチングを効果的に停止させ、これにより、リーク電流の発生などを抑制する。【解決手段】磁性体材料をエッチングすることができる薬液(希硝酸など)を用い、磁性体を主体とした薄膜(上部強磁性体膜6)の全部または一部を薬液によってエッチングし、上部強磁性体膜6とトンネル絶縁膜5とのエッチング速度の違いを利用し、トンネル絶縁膜5の上部強磁性体膜6との界面付近においてエッチングの進行を抑制する。

請求項（抜粋）：

磁性体材料を主体とした薄膜により非磁性体を主体としたトンネル絶縁膜を挟んだ構造を有するトンネル磁気抵抗素子を加工する方法において、前記磁性体材料をエッチングすることができる薬液を用い、前記薄膜の全部または一部を前記薬液によってエッチングし、前記薄膜と前記トンネル絶縁膜とのエッチング速度の違いを利用し、前記トンネル絶縁膜の前記薄膜との界面付近においてエッチングの進行を抑制する、ことを特徴とするトンネル磁気抵抗素子の加工方法。

IPC (10件)：

H01L 43/12 ,  C23F 1/28 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (10件)：

H01L 43/12 ,  C23F 1/28 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 21/308 F ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 21/306 A

Fターム (35件)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  4K057DB01 ,  4K057DB02 ,  4K057DB03 ,  4K057DB15 ,  4K057DE14 ,  4K057DK10 ,  4K057WA13 ,  4K057WB01 ,  4K057WB02 ,  4K057WB03 ,  4K057WB15 ,  4K057WC05 ,  4K057WE02 ,  4K057WE03 ,  4K057WE07 ,  4K057WE08 ,  4K057WE12 ,  4K057WN01 ,  5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034DA05 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA10 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA60 ,  5F083PR06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-213000   出願人：ヤマハ株式会社
• 特開平3-148188
  
• 磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-095392   出願人：日本電気株式会社